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935 142 521 410-T3T /基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0202 1000pF 150V 250um thick WireBond

935 142 521 410-T3T的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Murata

产品种类:基于硅的射频电容器/薄膜电容器

系列:WBSC

电容:1000 pF

容差:15 %

外壳代码 - in:0202

外壳代码 - mm:0606

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

长度:0.5 mm

宽度:0.5 mm

高度:0.25 mm

封装:Cut Tape

封装:Reel

击穿电压:150 V

产品:Silicon Capacitors

端接类型:SMD/SMT

类型:Wire Bonding Vertical Silicon Capacitor

商标:Murata / IPDiA

产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film

工厂包装数量:1000

子类别:Capacitors

温度系数/代码:24 PPM / C

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935 142 521 410-T3T	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 0202 1000pF 150V 250um thick WireBond	Murata / IPDiA		1.61 Mbytes	共11页		无

935 142 521 410-T3T的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	935 142 521 410-T3T	Murata / IPDiA	硅电容器 0202 1000pF 150V 250um thick WireBond	价格未公开

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